制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:7.12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:28.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:8.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.4 ns

工厂包装数量:3750

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:13.8 ns

单位重量:340 mg